1.一种基于半导体封装使用的陶瓷劈刀清洗方法,其特征在于:包括以下步骤:
s1.准备
首先将混合酸与氧化剂、去离子水按照体积比(1-2):(1-2):(6-8)的比例搅拌混合均匀,配制成清洗剂,然后将清洗剂倒入清洗设备中备用;
s2.分级
将待清洗的陶瓷弹簧吸嘴先通过目视检查进行筛选分级,选择陶瓷瓷嘴表面无明显金属划痕的作为a类,有明显金属划痕的作为b类;
s3.预处理
准备两个浸泡槽,充满去离子水,并将水温升高至40-60℃,然后将分级后的a类陶瓷弹簧吸嘴放入一个浸泡槽中,浸泡10-15min,b类陶瓷瓷嘴放入另一个浸泡槽中,浸泡20-30min,需保持两个浸泡槽中的陶瓷瓷嘴均不相互堆叠;
s4.清洗
先将清洗设备的工作温度升高至30-90℃,然后将a类和b类陶瓷瓷嘴分别放入清洗设备中进行清洗,a类陶瓷瓷嘴的清洗时间为2-10min,b类陶瓷劈刀的清洗时间为10-20min,然后再将a类和b类陶瓷瓷嘴从清洗设备中取出,并用酒精或者丙酮进行充分清洗,清洗时间为15-20min,去除陶瓷瓷嘴表面的清洗剂残留;
s5.干燥
将清洗完成后的a类和b类陶瓷瓷嘴放在风干机中进行风干处理,风干时间40-50min,即可完成陶瓷瓷嘴的清洗作业。
2.根据权利要求1所述的一种基于半导体封装使用的陶瓷瓷嘴清洗方法,其特征在于:所述混合酸是由硫酸、磷酸和盐酸按照(0-2):(1-2):(6-8)的体积比混合配制而成。
3.根据权利要求2所述的一种基于半导体封装使用的陶瓷瓷嘴清洗方法,其特征在于:所述硫酸的浓度为1%-15%,磷酸的浓度为1%-10%,盐酸的浓度为10%-20%。
4.根据权利要求1所述的一种基于半导体封装使用的陶瓷瓷嘴清洗方法,其特征在于:所述氧化剂为过氧化钠和过氧化钾的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种基于半导体封装使用的陶瓷瓷嘴清洗方法,其特征在于:所述清洗设备可以是超声波清洗机、兆声波清洗机、高压喷射清洗机或鼓泡清洗机中的任意一种。
总结本发明提供一种基于半导体封装使用的陶瓷劈刀清洗方法,涉及半导体封装技术领域。该一种基于半导体封装使用的陶瓷弹簧吸嘴清洗方法,包括以下步骤:S1.配制清洗剂;S2.陶瓷劈刀筛选分级;S3.浸泡处理;S4.清洗处理;S5.风干干燥。通过先对陶瓷弹簧吸嘴进行筛选分级,然后将混合酸与氧化剂、去离子水按照一定比例混合配制成清洗剂后,放入清洗设备内,对分级后的陶瓷劈刀以特定的温度和时间分别进行清洗处理,进而可以利用清洗剂的氧化性、微蚀刻和络合反应,去除陶瓷劈刀上的金属脏污、有机物、颗粒杂质、油脂等,只需一次就能清洗干净,清洗时间更短,清洗效率更高,清洗成本更低,而且不会对陶瓷弹簧吸嘴表面造成损伤。
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